CMH80P10 MOSFET是場效應半導體（Cmos）開發的一款P溝道金屬氧化物半導體元器件，其卓越的電氣性能和可靠性，成為中低壓、大電流場景下的核心器件。
CMP200N25 MOSFET以其“高能效、高功率密度、高可靠性”的三重優勢，成為工業電源、新能源汽車及消費類電子鄰域的理想選擇。
專為高可靠性、高功率密度設計而生的新一代功率器件
CMSA085DN06AU是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型場效應功率管，采用Cmos先進的柵裂工藝研發，優秀的高頻特性、低導通內阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應用場景
