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CMP034N06是一款高性能的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)的SGT工藝制成，具有優(yōu)秀的電特性，適用于車載電子、電動(dòng)工具、LED照明、不間斷電源等大功率、高效率的開關(guān)場(chǎng)景。

CMB011N04L-7是一款高性能的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用先進(jìn)的SGT工藝制成，適用于高功率、高效率的開關(guān)場(chǎng)景。

CMSC3812是采用Cmos先進(jìn)溝槽工藝開發(fā)的一款雙N溝道低壓增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,具有30V漏源電壓（VDS）,常溫條件下20A漏極電流（ID）,具備能瞬間抵抗高達(dá)80A的高脈沖電流沖擊性。

CMB180P04G是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），非常適用于先進(jìn)的高效開關(guān)應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、LED控制、電機(jī)控制等。

CMD65P02是采用Cmos先進(jìn)溝槽工藝開發(fā)的一款P溝道低壓增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,具有-20V漏源電壓（VDS）和-65A漏極電流（ID）（常溫條件）,具有抵抗高達(dá)-260A的脈沖電流的高性能抗沖擊性。