CMH40N120T2是采用廣東場效應半導體先進工藝開發的一款溝槽柵-場截止型功率器件（IGBT）
CMD028N03 是一款高性能N溝道增強型MOSFET，采用先進的溝槽工藝制造，具備30V漏源電壓（Vds）和150A連續漏極電流（Id）能力。
CMP079N10 N溝道MOSFET，重塑高密度電源設計
CMD180P04 MOSFET是場效應半導體公司開發的一款效率極高的P溝道場效應晶體管。
CMSA055DN06AU采用緊湊型DFN-8 5*6封裝，特點是體積小而薄，集成度高，且不失良好的散熱性，極大地縮減制板成本，應用此類封裝將會很可觀的實現降本增效。
