CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。
CMD065N04 Cmos為電源DC-DC模塊開發(fā)的一款物料，得益于Cmos對于半導體先進制造工藝的研究和創(chuàng)新，這款物料具有多項優(yōu)秀的參數(shù)，整體性能卓越。
CMD130N85A是Cmos通過不斷優(yōu)化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優(yōu)化溝槽工藝制造而成，典型的特點是，具有更優(yōu)秀的開關(guān)響應時效性，極低的RDSON,低FOM和更優(yōu)秀的單元一致性。
在鋰電池保護中電路中，低功耗尤為重要。CMD1402低的飽和導通內(nèi)阻（RDSON僅為4.1mΩ）實現(xiàn)了極低的功耗，使其在電路應用中，無論是靜態(tài)待機狀態(tài)還是動態(tài)工作過程均有效降低電池電能損耗。
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又稱可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR，簡稱可控硅）。
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