CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體采用新的溝槽設(shè)計(jì)理念
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進(jìn)超結(jié)技術(shù)的功率MOSFET。它不僅具備快速開關(guān)的超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，還提供了一個(gè)快恢復(fù)的體二極管。
CMSA010N04AU是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體（Cmos）一款高性能N溝道MOSFET，專為低壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化。
CMSC055N06是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)生產(chǎn)，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB073N15是場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體(Cmos)開發(fā)的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重優(yōu)勢(shì)于一體的功率MOSFET，已成為電力電子、汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源領(lǐng)域的理想選擇。
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