高耐壓與大電流場景的可靠之選
CMH80P10 MOSFET是場效應半導體（Cmos）開發的一款P溝道金屬氧化物半導體元器件，其卓越的電氣性能和可靠性，成為中低壓、大電流場景下的核心器件。以下是為您精心整理的應用場景與技術優勢解析，助您輕松實現高效、穩定的系統設計。
CMH80P10核心優勢速覽。
一、封裝形式
下面是CMH80P10封裝形式和內部拓撲結構圖，提供了TO-247、TO-3P、兩種封裝形式，并且可提供定制化封裝，
二、基礎參數
產品概述
CMH80P10是場效應半導體（Cmos）推出的一款高性能P溝道功率MOSFET，專為高耐壓、大電流應用場景設計。其核心參數包括：
漏源電壓（VDSS）：-100V
連續漏極電流（ID）：-80A（@Tc=25°C）
脈沖電流（IDM）：-320A
導通電阻（RDS(on)）：25mΩ Max（@VGS=-10V）
憑借高可靠性、低導通損耗和快速開關特性，CMH80P10成為工業、汽車及消費電子領域的理想選擇。
三、核心優勢
CMH80P10具有以下方面的核心優勢。
高性價比：在-100V級P溝道MOSFET中提供優異的RDS(on)與低成本。
易驅動性：VGS(th) =-4V（最大值），兼容通用驅動IC（如IR2104S）。
強散熱能力：TO-247與TO-3P封裝支持加裝散熱片，適應持續高功率場景。
四、應用推薦
核心應用場景推薦
1. 開關電源與DC-DC轉換器
CMH80P10的低導通電阻（RDS(on)）可顯著降低功率損耗，提升系統效率，適用于：
高壓輸入電源：如工業級AC-DC適配器。
降壓/升壓轉換器：在電動車充電樁或可再生能源系統中，支持高電壓輸入條件下的穩定能量轉換。
設計優勢：
耐受-100V高壓，適合48V及以上CAN系統的功率開關管。
TO-247/TO-3P封裝搭配外接散熱器，輕松應對持續大電流工況。
2. 電機驅動與逆變系統
在需要高邊驅動（High-Side Switching）的電機控制場景中，CMH80P10作為P溝道器件可簡化驅動電路設計：
電動工具：電鉆、角磨機等無刷電機（BLDC）驅動。
工業自動化：傳送帶電機控制器。
車載逆變器：12V/24V轉220V逆變系統，支持車載設備供電。
設計優勢：
快速開關特性（低Qg）減少開關損耗，提升PWM控制響應速度。
高脈沖電流耐受能力（-320A），適應電機啟停時的瞬時負載沖擊。
3. 工業設備與能源管理
針對高可靠性要求的工業環境，CMH80P10可勝任以下角色：
電源開關與負載開關：用于PLC、UPS系統的電源路徑管理。
光伏系統：太陽能MPPT（最大功率點跟蹤）電路中的功率開關。
電池保護模塊：鋰電池組的高壓充放電控制，防止過流/過壓風險。
設計優勢：
寬溫度范圍（-55°C至+150°C）適應嚴苛工況。
優異的雪崩能量（EAS=1058mJ）提升了系統抗瞬態干擾能力。
4. 汽車電子與電動車輛
在48V輕混系統（MHEV）及車載電子中，CMH80P10可滿足高壓需求：
48V電池管理系統（BMS）：充放電回路控制。
電動助力轉向（EPS）：高邊驅動電路。
LED車燈驅動：多通道大功率LED矩陣的恒流控制。
設計優勢：
場效應半導體（Cmos）生產環境通過IATF-16949認證，CMH80P10兼容車規級可靠性標準。
低熱阻封裝減少溫升，延長器件壽命。
立即行動
無論是升級現有設計還是開發新一代高耐壓系統，CMH80P10都能以卓越性能為您的方案保駕護航。如需技術支持或樣品申請，請聯系場效應半導體（Cmos）客服或登錄官網，獲取定制化選型建議！
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注：具體參數請以Cmos官方數據手冊為準，設計前建議進行熱仿真與動態特性測試。
型號速查：CMH80P10
關鍵參數： VDS=-100V, ID=-80A, RDS(on)=25mΩ(@VGS=-10V)
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