CMP079N10 N溝道MOSFET，重塑高密度電源設計
傳統MOSFET的瓶頸限制了您的設計潛力？是時候擁抱革新了！我們重磅推出采用先進超級結工藝的CMF65R360D MOSFET，為您帶來顛覆性的性能飛躍！
CMH50N30是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。
選擇場效應半導體CMF65R080SDMOSFET，您將獲得提升系統效率、縮小產品體積、增強可靠性的關鍵利器。
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進超結技術的功率MOSFET。它不僅具備快速開關的超結MOSFET的所有優點，還提供了一個快恢復的體二極管。
