CMD65R360D MOSFET——賦能高效電能轉換，重塑功率密度極限
廣東場效應半導體(簡稱Cmos)的CMSL008N06N溝道功率MOSFET，正是為要求嚴苛的低壓、大電流應用而生！
CMH50N30是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。
CMB180N04-7是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的工藝和技術，是專為高電流開關應用而設計的N通道MOS場效應晶體管。
選擇場效應半導體CMF65R080SDMOSFET，您將獲得提升系統效率、縮小產品體積、增強可靠性的關鍵利器。
