CMSL018N10A MOSFET—重新定義高效能功率轉換
——專為高可靠性、高功率密度設計而生的新一代功率器件
CMSL018N10A是廣東場效應半導體有限公司（Cmos）推出的N溝道功率MOSFET，憑借其100V耐壓、292A連續電流和超低導通電阻（RDS(on)max 2mΩ），成為高功率密度設計的理想選擇。其芯片工藝采用先進的柵裂工藝，結合Cmos先進的封裝技術，在效率、熱管理和可靠性上全面領先，可顯著降低系統損耗，提升能源轉換效率。
一、封裝形式
下圖是CMSL018N10A封裝形式和內部拓撲結構圖，采用TOLL-8功率級封裝形式， 具有卓越的熱管理性。
二、基礎參數
1. 漏源電壓(VDS)：100V
2. 連續漏極電流（ID@Tc=25℃）：292A（需結合散熱條件）
3. 導通電阻RDS(on)：2mΩ（max）
4. 柵源閾值電壓VGS(th)：4.0V（最大值）
三、核心優勢——突破性能邊界，賦能高效系統
1、CMSL018N10A在以下方面具有核心優勢。
高效率，較低的優值系數FOM = QG×RDS(on)，使得MOSFET在靜態和動態之間高頻切換時，提高了轉化效率。
高魯棒性，高效的熱管理性能是電路在高功率應用場景中有力的“穩定劑”。
高RSP設計，較高的耐壓耐流值參數決定了單位面積的芯片上可承載很高的功率。
抗沖擊性強，EAS雪崩沖擊能量達到5062mJ,完全可以承載電路中高電壓/電流突變情況dv/dt或di/dt（如開啟和關閉瞬間的壓流突變）
2、技術亮點：為嚴苛場景而生
極致效率：
超低RDS(on)（2mΩ@VGS=10V）大幅降低導通損耗，提升全負載范圍能效。
動態性能優化：
低Qg（柵極電荷）與快速開關特性，支持MHz級高頻應用，減少外圍元件成本。
卓越熱管理：
TOLL-8封裝搭配低熱阻設計，輕松應對高功率密度散熱挑戰。
堅固可靠：
支持-55°C至+150°C寬溫工作，適應極端環境。
四、應用推薦
CMSL018N10A有著上述諸多優秀的特性，這些綜合優勢使其在實際應用中表現出良好的穩定性，以下是推薦使用場景。
應用場景：覆蓋工業與新能源核心領域
1. 電動汽車與充電系統
車載DC-DC轉換器、OBC（車載充電機）、電機驅動
支持高頻開關，減少磁性元件體積，助力輕量化設計。
2. 工業自動化與電源
工業伺服驅動、UPS電源、焊接設備
低損耗特性降低溫升，保障設備長期穩定運行。
3. 可再生能源系統
光伏逆變器、儲能系統（ESS）
高耐壓與高電流能力，適應復雜電網波動環境。
4. 消費電子與高端設備
大功率適配器、高能效服務器電源
優化輕載效率，滿足80 PLUS Titanium能效標準。
5. LCDM 液晶顯示
LCD TV
五、設計建議：釋放器件潛力
布局優化：
縮短功率回路路徑，降低寄生電感，避免開關振蕩。
驅動配置：
建議驅動電壓VGS≥10V以實現最低RDS(on)，確保快速開通/關斷。
散熱策略：
搭配高性能散熱器或PCB銅箔散熱設計，充分利用封裝熱特性。
六、為何選擇CMSL018N10A？
成本效益： 高功率密度減少系統尺寸與材料成本。
未來兼容性：符合工業4.0、電動汽車與綠色能源趨勢。
全球供應鏈保障： 廣東場效應半導體成熟技術支持與穩定供貨能力。
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型號速查： CMSL018N10A
關鍵參數： VDS=100V, ID=292A, RDS(on)=2mΩ@VGSth=10V, TOLL-8封裝
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