廣東場效應半導體(簡稱Cmos)的CMSL008N06N溝道功率MOSFET,正是為要求嚴苛的低壓、大電流應用而生!
CMB180N04-7是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的工藝和技術,是專為高電流開關應用而設計的N通道MOS場效應晶體管。
CMSC055N06是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的SGT技術設計生產,具有非常卓越的RDS(ON)。
CMB180P04G是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的溝槽工藝技術和設計,提供非常優秀的RDS(ON),非常適用于先進的高效開關應用,廣泛應用于負載開關、電池保護電路、LED控制、電機控制等。
CMP073N15集合了低導通電阻、高耐壓、低開關損耗 等多項特點,成為各種高效能電源系統和高功率應用的理想選擇。