釋放高效能動力：CMH75N65EH5—650V/75A IGBT
-——為您的電子電力系統注入澎湃能量與極致效率
在追求更高能效、更緊湊設計和更強可靠性的工業電力電子領域，選擇一顆性能卓越的功率開關器件至關重要。場效應半導體（Cmos）CMH75N65EH5IGBT，正是為滿足您苛刻應用需求而生的高效能解決方案！
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場效應半導體采用新的溝槽設計理念，相比傳統的功率IGBT制造工藝，典型的特點是在高功率應用場景下散熱性更好均流性優秀，PN結反向恢復時間更短，有力地擺脫了傳統工藝IGBT關閉時的拖尾影響。
一、封裝形式
圖示為CMH75N65EH5的封裝形式和內部拓撲圖，標準的TO-247大尺寸封裝，為大功率應用場景帶來了強勁的散熱能力，我們可提供定制化封裝。
二、基礎參數
耐壓等級：650V
持續漏極電流：90A（@TC=25℃）
優秀的散熱能力：TO-247封裝決定了芯片具有很大的散熱載體，芯片內部體二極管PN結-殼溫度RthJC只有0.45℃/W,IGBT內部結溫為0.38℃/W，出色的散熱能力為器件在高功率、高頻性應用條件下提供有力的穩定性和安全性。
CMH75N65EH5成為工業變頻器、汽車HEV/EV及新能源領域的理想選擇。
三、核心優勢
1.卓越效率，降低能耗：
采用先進的場截止溝槽IGBT技術，顯著降低導通損耗 (Vce(sat) 典型值僅 1.47V @ 25°IC=75A)和開關損耗 (Eon/Eoff)。
更低的損耗直接轉化為更高的系統效率，減少熱量產生，降低散熱需求和運營成本，助力實現綠色節能目標。
2.強勁電流處理能力：
75A 連續集電極電流 (Ic @ 130°C)與650V高阻斷電壓的完美組合。
輕松應對工業級應用中的大電流需求，提供穩定可靠的功率傳輸基石。
3.高速開關性能：
優化的開關特性，支持更高的工作頻率。
使您的電源設計更緊湊（可減小磁性元件尺寸），提升系統動態響應速度，特別適用于PWM變頻控制。
4.出色的溫度穩定性和魯棒性：
175°C最高工作結溫 (Tvj)，提供寬裕的安全工作余量。
堅固的TO-247 封裝，具有優異的散熱性能和機械強度，確保在惡劣工業環境下的長期穩定運行。
內置快速恢復二極管 (FRD)，優化反向恢復特性，減少開關應力。
四、理想應用領域
? 工業電機驅動 (變頻器)：伺服驅動、主軸驅動、風機/水泵變頻控制，提供高效、平穩的動力輸出。
? 不間斷電源 (UPS)：在線式、雙變換式UPS的逆變和PFC升壓級，確保關鍵負載的高效、可靠供電。
? 開關模式電源 (SMPS)：大功率服務器電源、通信電源、工業電源的功率因數校正 (PFC) 和 DC-DC 轉換級。
? 焊接設備：逆變焊機、等離子切割機的功率轉換核心。
? 新能源應用：太陽能逆變器 (DC-AC)、小型風力發電變流器。
? 感應加熱：電磁爐、工業感應加熱設備的諧振逆變器。
五、為什么選擇 CMH75N65EH5？
u 性能與效率的標桿：場截止溝槽IGBT技術帶來的低損耗是高效系統設計的基石。
u 可靠性的保證：高結溫和堅固封裝設計，滿足工業應用的嚴苛要求。
u 廣泛的應用覆蓋：強大的電流電壓規格，適配多種中高功率應用場景。
u 品質保障：源自高精密的制造設備與多年產品開發經驗提供了卓越品質和穩定供應。
立即行動：
將 CMH75N65EH5集成到您的下一代電力電子設計中，體驗其帶來的高效率、高功率密度和卓越可靠性！釋放系統潛能，降低運營成本，贏得市場競爭力。
獲取樣品與技術資料，請聯系場效應授權代理商或訪問官網。
型號速查：CMH75N65EH5
關鍵參數： VDS=650V, ID=90A
官方網站：m.turkeyworld.net
（注：實際應用中請以場效應半導體官方數據手冊為準，結合具體工況驗證設計。）
讓效率與可靠性，成為您產品的核心競爭力！
