CMD65R360D MOSFET
CMD65R360D MOSFET
——賦能高效電能轉(zhuǎn)換，重塑功率密度極限
一、封裝形式
下圖是CMD65R360D的封裝形式與芯片內(nèi)部拓?fù)鋱D，我們提供TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263六種常規(guī)封裝新式，極大地豐富了客戶電路設(shè)計(jì)時(shí)的選擇性，如有特殊需求，也可提供定制化封裝。
二、基礎(chǔ)參數(shù)
耐壓等級(jí)：VDS=650V
持續(xù)漏電流能力：ID=11A,@Tc=25℃
漏源阻值：0.36Ω，Max@VGS=10V
三、核心優(yōu)勢(shì)
1、超結(jié)工藝（Super Junction）：
突破傳統(tǒng)硅限，實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗（Rds(on)=360mΩ）與開(kāi)關(guān)損耗平衡
650V擊穿電壓，輕松應(yīng)對(duì)380V三相電整流后高壓場(chǎng)景
2、極優(yōu)動(dòng)態(tài)特性：
低Qg（柵極電荷）& Qrr（反向恢復(fù)電荷），提升開(kāi)關(guān)頻率至100kHz+
硬開(kāi)關(guān)拓?fù)湎翬MI噪聲顯著降低
3、優(yōu)秀的抗浪涌/抗ESD特性：柵極與源極之間集成齊納二極管，具有優(yōu)秀的防靜電能力與抗浪涌特性，在戶外以及復(fù)雜電子環(huán)境中應(yīng)用非常有優(yōu)勢(shì)。
4、可靠性強(qiáng)化：
優(yōu)化寄生電容（Coss/ Crss），抑制dv/dt引發(fā)的誤觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
黃金應(yīng)用場(chǎng)景推薦
1. 高頻開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
適用拓?fù)洌篖LC諧振、反激式開(kāi)關(guān)、PFC。
價(jià)值點(diǎn)：
適配200-500W高效電源模塊（如服務(wù)器電源/通信電源）。
提升全負(fù)載區(qū)間效率，滿足“80 PLUS”、“能源之星”高能效標(biāo)準(zhǔn)。
2. 綠色能源系統(tǒng)
光伏優(yōu)化器/微型逆變器：
支持光伏MPPT算法高頻功率追蹤，具有很高的轉(zhuǎn)換效率。
儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）雙向DC-DC模塊：
低導(dǎo)通損耗減少電池充放電循環(huán)能量損耗
3. 快充與消費(fèi)電子
PD3.1 140W適配器：
支持主流PD方案中的升壓模塊應(yīng)用,如，SC9712。
五、設(shè)計(jì)建議
1．驅(qū)動(dòng)優(yōu)化：
推薦驅(qū)動(dòng)電壓Vgs=12V±25%，避免米勒平臺(tái)振蕩
柵極串聯(lián)電阻≥10Ω抑制振鈴（可并聯(lián)TVS以作防浪涌保護(hù)）
2．散熱策略：
搭配高熱導(dǎo)率絕緣墊片（≥3W/mK）。
單面PCBA貼片封裝設(shè)計(jì)建議預(yù)留較大的銅箔散熱區(qū);
插件類封裝建議背靠散熱片，選用M3螺絲，螺絲緊固力矩在0.5~0.6牛.米。
六、立即選用CMD65R360D
立即升級(jí)您的能效方案。
場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體品質(zhì)保證：源自專業(yè)團(tuán)隊(duì)的長(zhǎng)期深耕，提供卓越的穩(wěn)定性和供貨保障。
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