CMD180P04 —— 極致能效，掌控大電流
CMD180P04 MOSFET是場效應半導體公司開發的一款效率極高的P溝道場效應晶體管，其采用優化的溝槽式芯片電路設計思路，巧妙地處理了半導體材料物理結構的限制，極大地提高了P型半導體能效轉化效率，有力地縮小了P溝道場效應晶體管在現代電子電路中使用的局限性。
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一、 封裝形式
下圖為CMD180P04 MOSFET的封裝形式和內部拓撲圖，采用TO-252/TO-251兩種常規封裝，極大地方便了用戶物料的選配性。
二、基礎參數
耐壓等級：VDS=-40V
持續漏極電流：-100A
飽和導通內阻：5毫歐
單次抗沖擊雪崩能力：1058毫焦耳
三、核心優勢
CMD180P04 賦能高功率密度設計
核心優勢
A. -100A 持續電流：輕松駕馭高功率負載，保障系統穩定運行。
B. 5mΩ 超低導通電阻：大幅降低導通損耗，效率提升高達 98%+。
C. -40V 耐壓設計：為 12V/24V 系統提供安全裕度。
D. P溝道優化：簡化高邊驅動電路，降低BOM成本。
E. 抗雪崩沖擊性：先進的溝槽設計思路，極大地提高了DS功率回路dv/dt電壓變化率。
四、應用領域
推薦應用場景
1. 新能源動力系統
電動叉車/AGV 電池管理系統（BMS）主放電開關
輕型電動車電機控制器（Electric Bicycle）
48V混動汽車啟停電源can控制
2. 工業電源拓撲
同步整流DC-DC模塊（24V→12V/5V Buck大電流轉換）
UPS/EPS 系統電池反向保護電路
熱插拔(Hot Swap)控制浪涌抑制
3. 自動化設備
工業機器人關節驅動器制動電路
電磁閥/大功率繼電器智能驅動單元
光伏逆變器防反灌保護開關
五、設計建議
應用價值
1. 溫升更低：5mΩ內阻顯著降低導通損耗，減少熱耗散，散熱成本下降，且滿足日益嚴格的能效標準（歐盟CoC V5標準和 美國DoE VI標準）。
2. 節省PCB空間：支持高電流密度布局，替代并聯方案。
3. 驅動簡易化：P溝道特性消除自舉電路需求，加速產品開發周期。
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（注：實際應用中請以場效應半導體官方數據手冊為準，結合具體工況驗證設計。）
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