CMD180P04 MOSFET是場效應半導體公司開發的一款效率極高的P溝道場效應晶體管。
CMSA055DN06AU采用緊湊型DFN-8 5*6封裝，特點是體積小而薄，集成度高，且不失良好的散熱性，極大地縮減制板成本，應用此類封裝將會很可觀的實現降本增效。
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場效應半導體采用新的溝槽設計理念
CMSA085DN06AU是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型場效應功率管，采用Cmos先進的柵裂工藝研發，優秀的高頻特性、低導通內阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應用場景
