CMH40N120T2是采用廣東場效應半導體先進工藝開發的一款溝槽柵-場截止型功率器件（IGBT）
CMB073N15是場效應半導體(Cmos)開發的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重優勢于一體的功率MOSFET，已成為電力電子、汽車電子、工業控制、可再生能源領域的理想選擇。
CMD60R180S6ZD是采用Cmos先進的超級結工藝開發的一款N溝道功率場效應管（MOSFET），其特點具有高頻特性好，反向快恢復時間短，并且具有HBM>2kV的靜電或浪涌防護能力等。
逆變設備在電力工程和電子設備中有著廣泛的應用基礎，從大至千伏級別的超高壓大型電力工程設備，到小至百伏小型開關電源中都會用到逆變設備或者逆變系統。
CMP1608A是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術工藝生產的，該工藝已被定制為最大限度減小導通電阻RDS(ON)，同時保持優越的開關性能。非常適合用于電池管理、不間斷電源、開關控制、切換類電源、逆變器電源等多種應用。
