CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場效應管，這種工藝典型特點是抗沖擊能力強和參數(shù)一致性表現(xiàn)好。
CMH25N50是使用Cmos先進的高壓MOSFET工藝制造，旨在提供優(yōu)良的RDS（ON）,非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數(shù)校正。可用于SMPS開關(guān)電源、UPS電源，非常適用于逆變器電源，有優(yōu)秀的散熱能力，很好的性價比。
CMH90N30采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術(shù)和設計，提供優(yōu)秀的RDS（ON）。非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數(shù)校正。
CMH20N50采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術(shù)和設計，提供優(yōu)秀的RDS（ON）。非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數(shù)校正。可用于開關(guān)電源、UPS電源、DC-DC轉(zhuǎn)化電源，特別適用于逆變器電源，有優(yōu)秀的散熱能力，很好的性價比。
CMP13N50T/CMF13N50T采用先進的高壓MOSFET技術(shù)生產(chǎn)，這種先進技術(shù)能提供優(yōu)秀的RDS（ON）、優(yōu)越的開關(guān)性能、并能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。
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