廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱Cmos)的CMSL008N06N溝道功率MOSFET，正是為要求嚴(yán)苛的低壓、大電流應(yīng)用而生！
CMB180N04-7是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的工藝和技術(shù)，是專為高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的N通道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
CMSC055N06是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計(jì)生產(chǎn)，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB180P04G是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），非常適用于先進(jìn)的高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)電路、LED控制、電機(jī)控制等。
CMP073N15集合了低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低開(kāi)關(guān)損耗 等多項(xiàng)特點(diǎn)，成為各種高效能電源系統(tǒng)和高功率應(yīng)用的理想選擇。
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