室溫超導材料獲突破，國產量子芯片技術商用加速，擋不住中國芯了
來源：柏銘科技
日前華中科技大學常海欣教授團隊成功合成了可以磁懸浮的LK-99晶體，該晶體懸浮的角度比韓國Sukbae Lee等人獲得的樣品磁懸浮角度更大，這是國產室溫超導材料的重大突破。
LK-99晶體材料由韓國人在兩年前提出，這是一種可以實現室溫超導性能的材料，此舉對于推進磁懸浮的商用化具有重要意義，畢竟此前的磁懸浮都需要在超低溫度下實現，其實這種材料對于當下競爭激烈的芯片來說尤為重要。
硅基芯片技術已被認為即將達到極限，臺積電、三星等將硅基芯片工藝推進到3納米發現難以實現成本較低的良率，臺積電的3納米工藝量產近半年也只有55%的良率，如此情況下導致硅基芯片繼續推進芯片制造工藝難度越來越大，普遍認為1納米將是硅基芯片的極限。
為此全球都在推進量子芯片、光子芯片等技術，其中量子芯片是中國和美國都已居于領先地位的芯片技術，各有科研機構表示它們的量子計算機已達到可觀的性能，遠超當下的超級計算機，不過量子芯片技術面臨的一大難題就是需要在極低溫度下才能工作，合肥本源量子為了確保量子芯片的運作就研發了量子冰箱確保量子芯片在極低溫度下工作。
如此就導致了量子芯片即使能生產出來，也需要龐大的設備，這樣的量子計算機顯然很難走入人們的生活，也很難投入工業生產中，而室溫超導材料則可以解決這一問題，中國的機構合成了性能更強的LK-99晶體無疑將為國產量子芯片的商用加速。
中國在基礎材料研發方面向來非常重視，這得益于中國龐大的研發機構，各個學校的產學研推進就為這些材料的研發提供了巨大的可能性，畢竟每一種材料的研發都需要無數次的試錯才能找到真正合適的材料，華科成為其中成功合成室溫超導材料LK--99晶體也就在情理之中。
在先進芯片材料方面，中國其實已取得了許多突破，中國研發的氮化鎵、碳化硅等第三代芯片材料就居于全球前列，正是獲益于中國在第三代芯片材料方面的進展，中國在汽車芯片、快充技術等方面都居于全球前列，這也印證了中國更可能在先進材料方面取得突破。
中國成功合成先進的室溫超導材料將是中國在材料研發方面的重大突破，室溫超導材料的研發將讓所有芯片都可以實現微型化，芯片的功耗更低將真正實現無需散熱風扇的高性能PC，性能也由此得到極速提升，業界都清楚CPU的耗電中其實用于計算的電力占比較小，有很大部分浪費在發熱中，而發熱也阻止了硅基芯片進一步提升性能，室溫超導將解決這一問題，甚至當前國產化的28納米工藝也能生產出遠超5納米工藝的芯片，打破美國的限制。
室溫超導材料的推出還將進一步加強中國已取得突破的新能源汽車，有了室溫超導技術，那么幾秒鐘充滿電將不在話下，可以說室溫超導材料的突破，將進一步增強中國制造在諸多行業的實力。
中國科技行業近幾年取得了許多讓人驚喜的進步，美國妄圖利用它所取得的技術優勢在諸多行業阻礙中國科技的發展，然而中國諸多行業的努力正逐步形成一個體系，最終全面打破美國的技術體系，美國的圖謀必將破滅，而中國科技將迎來輝煌。
