中壓優(yōu)秀MOS：CMP107N20
中壓優(yōu)秀MOS：CMP107N20
CMP107N20是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)工藝生產(chǎn)，具有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻RDS(ON)，是高頻開(kāi)關(guān)和同步整流的理想MOS，也非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。
卓越的電氣特性
CMP107N20的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMP107N20的耐壓（BVDSS）為200V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是105A。
雪崩能量：CMP107N20采用（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)工藝，100%雪崩測(cè)試，單次雪崩能量EAS為2311mJ，有很強(qiáng)的抗沖擊能力。
低熱阻：CMP107N20采用TO-220封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.42℃/W。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMP107N20的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大只有10mΩ。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效。
低開(kāi)關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，和低開(kāi)關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMP107N20優(yōu)秀的性能，使其可以非常好的應(yīng)用于多種電路，包括不限于電池管理、不間斷電源、高頻開(kāi)關(guān)和同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、逆變器電源等多種應(yīng)用。
通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMP107N20中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
