CMP130N85A核心優(yōu)勢(shì)解析
CMP130N85A核心優(yōu)勢(shì)解析
摩爾定律揭示了這樣的規(guī)律，就是隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，集成電路的集成性將會(huì)逐級(jí)提高。集成電路是由集成度較高的IC和分離型功率半導(dǎo)體器件或功率模塊構(gòu)成。在IC鄰域集成度最高的大型集成性的SOC，中性集成性的MCU以及小型單片機(jī)，分離型半導(dǎo)體功率器件如，MOSFET、IGBT、可控硅以及GaN、SiC等其他第三代分離半導(dǎo)體器件在提高甚至擴(kuò)大功能的同時(shí)不斷縮小了體積，并且實(shí)現(xiàn)了動(dòng)靜態(tài)能耗比顯著降低之優(yōu)點(diǎn)，從而提高和延長(zhǎng)了設(shè)備設(shè)施的穩(wěn)定性和續(xù)航能力，綜上優(yōu)點(diǎn)將成為集成電路發(fā)展顯著特點(diǎn)。
從集成電路的構(gòu)造來(lái)看，分離半導(dǎo)體器件是構(gòu)成大型集成電路的基礎(chǔ)元件或者是與IC實(shí)現(xiàn)Logic功能具有相關(guān)性。就拿Cmos CMP130N85A MOSFET分立器件來(lái)說(shuō)，其不僅是簡(jiǎn)單的電壓控制性開(kāi)關(guān)，其內(nèi)部運(yùn)行Logic,包含了阻容特性，電感特性，PN結(jié)特性等，這些本應(yīng)只在相關(guān)元器件才有的特性錯(cuò)綜交織在一起，構(gòu)成了分離器件MOSFET。基于從功能層面和物理結(jié)構(gòu)層面分析，實(shí)現(xiàn)集成電路和集成IC不僅僅是各個(gè)分離元件簡(jiǎn)單粗淺的組合，更是集合功能的深度融合。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導(dǎo)體分離器件。特點(diǎn)是具有更低的輸入輸出電容，滿足了更高頻率的開(kāi)關(guān)切換電路應(yīng)用。極低的RDSON和QG的優(yōu)值系數(shù)，明顯提高了場(chǎng)效應(yīng)管自身的轉(zhuǎn)換效率。理想的RSP特性和參數(shù)一致性，使該物料在開(kāi)關(guān)電源的DC/DC模塊，電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及UPS等應(yīng)用中展現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性。CMP130N85AMOSFET是Cmos倡導(dǎo)綠色、可持續(xù)發(fā)展理念的又一創(chuàng)新產(chǎn)品。
封裝形式
基礎(chǔ)參數(shù)
核心優(yōu)勢(shì)
CMP130N85A是一款低壓應(yīng)用MOSFET,擊穿電壓BVDSS=85V，采用成熟的Cmos優(yōu)化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續(xù)電流可達(dá)120A，具有優(yōu)秀的帶載能力。
CMP130N85A提供了TO-220、TO-263、TO-262三種常規(guī)封裝，這三種封裝形式背部額外加裝散熱片，具有優(yōu)秀的散熱能力,這些封裝即拓寬了不同PCBA設(shè)計(jì)環(huán)境的適用性，又保障了在大功率輸出條件下的熱平衡。
場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON ，QG值反映了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的動(dòng)態(tài)特性，RDSON是反映了靜態(tài)特性，F(xiàn)OM綜合反映了場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)能量的轉(zhuǎn)換效率。擁有優(yōu)秀高效的轉(zhuǎn)換效率，不僅提高了場(chǎng)效應(yīng)自身的應(yīng)用領(lǐng)域，而且符合綠色設(shè)計(jì)可持續(xù)發(fā)展的需要。
降本增效
場(chǎng)效應(yīng)管以其超高頻次（frequence可達(dá)兆赫茲以上）的開(kāi)關(guān)速度在通信鄰域，PLC工業(yè)控制，汽車ECU,無(wú)人機(jī)，醫(yī)療器械和智能機(jī)器人領(lǐng)域被大量應(yīng)用。作為重要的開(kāi)關(guān)元器件，MOSFET自身的能效比和開(kāi)關(guān)響應(yīng)時(shí)間是保障性能的關(guān)鍵。
在常溫環(huán)境中，CMP130N85AD的飽和導(dǎo)通內(nèi)阻不超過(guò)5毫歐，低阻值決定了具有較高的能效比，在UPS不間斷電源，汽車ECU、無(wú)人機(jī)等高速馬達(dá)負(fù)載環(huán)境中，具有很高的應(yīng)用價(jià)值。
Cmos是知名的國(guó)產(chǎn)分離半導(dǎo)體器件品牌，位于深圳，擁有核心的產(chǎn)、學(xué)、研三者結(jié)合的綜合優(yōu)勢(shì)，整個(gè)半導(dǎo)體后道工藝實(shí)現(xiàn)完全自主可控。多年來(lái)在集成電路鄰域不斷投入，工藝不斷創(chuàng)新，已經(jīng)成長(zhǎng)為一家具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體制造企業(yè)。集成電路相關(guān)專利申請(qǐng)數(shù)量更是同比逐年遞增，已經(jīng)是國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的明星企業(yè)。
Cmos產(chǎn)品有：MOS場(chǎng)效應(yīng)管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩(wěn)壓芯片，各種三極管和二極管等。
更多型號(hào)資料請(qǐng)聯(lián)系在線客服或登錄Cmos官網(wǎng)m.turkeyworld.net，可索取樣品和報(bào)價(jià)以及提供相關(guān)技術(shù)支持服務(wù)。
